| 专利名称: | 一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178324.4 |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447454 |
| 第一发明人: | 周华杰 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，包括： 局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注 入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极； 注入金属杂质；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反 应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明， 易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 |
| 其它备注: | |
科研产出