| 专利名称: | 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178311.7 |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447484 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料 结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所 述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、应变缓冲层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层 In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层 In0.52Al0.48As和N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成；所述N型高掺杂 腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As上分子束外延 生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分 子束外延生长的N型掺杂层In0.53Ga0.47As、不掺杂层In0.53Ga0.47As和P 型掺杂层In0.53Ga0.47As构成。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极 管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极 管。 |
| 其它备注: | |
科研产出