| 专利名称: | 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178321.0 |
| 申请日期: | 2007-11-28 |
| 专利号: | CN101447485 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结 构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开； 所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层 Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺 杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述N型 高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延 生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次 分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层 GaAs构成。本发明将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬 底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。 |
| 其它备注: | |
科研产出