| 专利名称: | 管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 |
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| 申请号: | 200810227455.1 |
| 申请日期: | 2008-11-25 |
| 专利号: | CN101447552 |
| 第一发明人: | 商立伟 刘 明 涂德钰 刘 舸 刘兴华 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管，属于有机微电子学领域。 该器件包括绝缘衬底上的源电极、介质层、半导体层、管状栅电极以及金属漏电极。 其中器件的栅电极为管状，包裹在中心区的有机半导体层外围。栅电极和有机半导体 层之间通过栅介质互相隔离开。源电极和漏电极均为平面电极，分别位于器件的底部 和顶部，通过介质层和栅电极分离。本发明提供的器件结构通过把沟道方向从水平转 变为垂直，只需要控制薄膜的生长厚度就能够有效控制器件的沟道长度，避免了昂贵 的电子束光刻，是一种低成本的短沟道有机场效应晶体管。同时本发明还提供了这种 器件的制备方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出