| 专利名称: | 基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178776.2 |
| 申请日期: | 2007-12-05 |
| 专利号: | CN101450787 |
| 第一发明人: | 石莎莉 陈大鹏 欧 毅 景玉鹏 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法，该方 法包括：在硅衬底上表面淀积SiNX薄膜；光刻，刻蚀该SiNX薄膜， 形成腐蚀窗口；腐蚀所述形成腐蚀窗口的硅衬底上表面，形成带硅突 点的空腔；在硅衬底上表面淀积SiNX薄膜，密封腐蚀窗口。本发明提 供的方法工艺步骤简单，成本低廉，生产效率高，工艺稳定，具有很 强的实用价值，能够适应大规模生产的要求。 |
| 其它备注: | |
科研产出