| 专利名称: | 一种制备用于离子注入的对准标记的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178772.4 |
| 申请日期: | 2007-12-05 |
| 专利号: | CN101452819 |
| 第一发明人: | 吴茹菲 尹军舰 张海英 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备用于离子注入的对准标记的方法，该方法 包括：在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区形成用于离子注入 的对准标记。所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。所述刻蚀采用 的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻掩膜版相同。利用本发明，解决 了离子注入过程不能为下一步工艺提供对准标记图形的问题，而且无 需另外制备光刻掩膜版，简单易行，实现成本低。 |
| 其它备注: | |
科研产出