| 专利名称: | 一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710178778.1 |
| 申请日期: | 2007-12-05 |
| 专利号: | CN101452963 |
| 第一发明人: | 龙世兵 刘 明 贾 锐 陈宝钦 王 琴 涂德钰 胡 媛 管伟华 刘 琦 李维龙 王 永 杨潇楠 张 森 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器，包括：硅衬 底1、位于硅衬底1上两侧重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源导电 区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层2、覆盖在隧 穿介质层2上的金属纳米晶浮栅层3、覆盖在金属纳米晶浮栅层3上的 控制栅介质层4，以及覆盖在控制栅介质层4上的栅电极材料层5。本 发明同时公开了一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器的制作方法。利 用本发明，降低了浮栅结构非挥发性存储器的编程/擦除电压和操作功 耗，提高了编程/擦除操作速度、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存 储性能，提高了器件的集成度，并简化了制作工艺，降低了制作成本， 提高了制作效率。 |
| 其它备注: | |
科研产出