| 专利名称: | 一种制备硅纳米晶薄膜的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710179368.9 |
| 申请日期: | 2007-12-12 |
| 专利号: | CN101457346 |
| 第一发明人: | 陈 晨 贾 锐 李维龙 刘 明 陈宝钦 龙世兵 谢常青 涂德钰 刘 琦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上 热生长二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物作 为靶材通过磁控溅射法沉积至所述二氧化硅层上，形成富硅的混合物 薄膜层；在氮气气氛下将形成的混合物薄膜层高温退火形成硅纳米晶 薄层。采用本发明提供的方法制备的纳米晶直径在4至6nm，主要应 用于硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器、纳米晶光 电探测器等器件的制备中，适合大规模生产的要求。 |
| 其它备注: | |
科研产出