| 专利名称: | 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710179354.7 |
| 申请日期: | 2007-12-12 |
| 专利号: | CN101458337 |
| 第一发明人: | 刘梦新 韩郑生 赵超荣 刘 刚 |
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| 专利摘要: | 本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的 可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导 体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、 漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电极。本发明将剂量计制 作于SOI衬底之上，具有两种测量不同剂量率的电极探头；采用不同 方式的正、背栅调栅注入以调节探头测量范围；利用与顶层硅膜同型 的重掺杂区域形成与源区短接的体接触；源/体、漏/体以及正、背栅与 各自电极间利用多晶硅化物互联；正栅采用多根栅条叉指形式并联以 增大探头敏感区域；剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时 间调节；可调整量程的堆叠剂量计测量电路的方法及结构。 |
| 其它备注: | |
科研产出