专利名称: | 低压低功耗的CMOS电压基准参考电路 |
专利类别: | |
申请号: | 200710304219.0 |
申请日期: | 2007-12-26 |
专利号: | CN101470459 |
第一发明人: | 王 晗 叶 青 |
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专利摘要: | 本发明公开了一种低压低功耗的CMOS电压基准参考电路,用于 产生一基准电压,该CMOS电压基准参考电路包括一启动电路11,一 自偏置电流源12,一具有负温度系数的电压产生器13、一基准电压调 节器14,以及一单管电流镜MOS晶体管M0。该电路采用工作在亚阈 值区的MOS晶体管来产生具有负温度系数的电压,同时利用工作在亚 阈值区的MOS晶体管的套筒和折叠结构代替电阻放大具有正温度系 数的电压,使其与具有负温度系数的电压相抵消,从而产生了与温度 无关的基准电压。本发明的基准电路由于消除了电阻、电容等无源器 件以及运算放大器的使用,大大减小了电路的组件数目和静态工作电 流,从而减小了电路的功耗和面积。 |
其它备注: | |
科研产出