专利名称: 低压低功耗的CMOS电压基准参考电路
专利类别:
申请号: 200710304219.0
申请日期: 2007-12-26
专利号: CN101470459
第一发明人: 王 晗 叶 青
其它发明人:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种低压低功耗的CMOS电压基准参考电路,用于
产生一基准电压,该CMOS电压基准参考电路包括一启动电路11,一
自偏置电流源12,一具有负温度系数的电压产生器13、一基准电压调
节器14,以及一单管电流镜MOS晶体管M0。该电路采用工作在亚阈
值区的MOS晶体管来产生具有负温度系数的电压,同时利用工作在亚
阈值区的MOS晶体管的套筒和折叠结构代替电阻放大具有正温度系
数的电压,使其与具有负温度系数的电压相抵消,从而产生了与温度
无关的基准电压。本发明的基准电路由于消除了电阻、电容等无源器
件以及运算放大器的使用,大大减小了电路的组件数目和静态工作电
流,从而减小了电路的功耗和面积。
其它备注: