专利名称: | 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法 |
专利类别: | |
申请号: | 200910078478.5 |
申请日期: | 2009-02-24 |
专利号: | CN101494237 |
第一发明人: | 刘 明 杨仕谦 王 琴 龙世兵 |
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专利摘要: | 本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构,属于微电子技术 领域。该结构包括硅衬底,以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄 膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结 构的非挥发性存储单元的编程/擦除效率、编程/擦除(P/E)速度、有效电荷存储能力、 数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能。本发明同时公开了一种制作钨钛合金纳 米晶浮栅结构的方法。本发明的方法简便,并兼容于传统CMOS硅平面工艺。 |
其它备注: | |
科研产出