专利名称: 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法
专利类别:
申请号: 200910078478.5
申请日期: 2009-02-24
专利号: CN101494237
第一发明人: 刘 明 杨仕谦 王 琴 龙世兵
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种用于快闪存储器的钨钛合金纳米晶浮栅结构,属于微电子技术
领域。该结构包括硅衬底,以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅层、高介电常数薄
膜、钨钛合金纳米晶电荷存储层、阻挡层以及栅材料层。本发明的结构提高了浮栅结
构的非挥发性存储单元的编程/擦除效率、编程/擦除(P/E)速度、有效电荷存储能力、
数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能。本发明同时公开了一种制作钨钛合金纳
米晶浮栅结构的方法。本发明的方法简便,并兼容于传统CMOS硅平面工艺。
其它备注: