| 专利名称: | 一种电子束曝光散射参数的提取方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910080196.9 |
| 申请日期: | 2009-03-25 |
| 专利号: | CN101510050 |
| 第一发明人: | 赵 珉 陈宝钦 刘 明 牛洁斌 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种电子束曝光散射参数的提取方法。为了解决现有电子束曝 光散射参数提取方法中操作繁琐且难以保证准确性的问题，本发明提供一种电 子束曝光散射参数的提取方法，该方法根据所要进行参数提取的电子束抗蚀剂 及衬底结构特性设计出合适的前散射参数α、背散射参数β以及背散射与前散 射沉积能量之比η的提取版图；然后在待测的电子抗蚀剂及衬底结构上分别对 三种设计的版图进行变剂量的电子束直写曝光；最后根据多组不同参数曝光、 显影及剥离后的图形结构特征确定一组合适的散射参数。本发明无需进行大量 烦琐的测量，因此不存在测量误差，并减少了由于数学处理带来的误差，使参 数提取准确且简单易行。 |
| 其它备注: | |
科研产出