| 专利名称: | 基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810100954.4 |
| 申请日期: | 2008-02-27 |
| 专利号: | CN101520600 |
| 第一发明人: | 刘兴华 徐德钰 朱效立 谢常青 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种基于X射线曝光技术制作透光纳米压印模板的 方法，透明纳米压印模板是由电子束光刻制成纳米X射线曝光模版， 该方法通过X射线曝光，将纳米图形转移到不导电的石英作为衬底的 光刻胶上，显影后通过蒸发金属、剥离工艺，得到石英衬底上的金属 纳米图形，将金属作为阻挡层使用反应离子刻蚀石英，得到石英上的 纳米图形，去除金属完成透光纳米压印模板的制作。本发明解决了无 法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题。同时，本 发明实现了透光纳米压印模板，为纳米压印提供了方便的对准手段， 使紫外固化纳米压印成为可能。 |
| 其它备注: | |
科研产出