| 专利名称: | 一种单电子存储器的制备方法 |
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| 申请号: | 200910080195.4 |
| 申请日期: | 2009-03-25 |
| 专利号: | CN101521181 |
| 第一发明人: | 贾 锐 李维龙 陈 晨 朱晨昕 李昊峰 张培文 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了 解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提 供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电极图 形和导电沟道，通过光学光刻和剥离方式制作源、漏接触电极，通过电子束蒸 发手段制备薄层硅，然后通过快速热退火技术将表面的薄层硅制作成硅量子 点，最后通过剥离工艺制作栅电极。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子 工艺兼容。使用本发明方法制备的单电子存储器具有很大的一致性，且操作电 压低、功耗小。 |
| 其它备注: | |
科研产出