专利名称: 一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源
专利类别:
申请号: 200910301441.4
申请日期: 2009-04-09
专利号: CN101533288
第一发明人: 范 涛 袁国顺
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专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所
述基准电压源包括:CTAT电流产生电路,于产生PTAT电流(IPTAT
);闭环补偿电流产生I);参考于产生闭环补偿电流(ICL)
电压产生电路,用于产生参考电压源(Vref);PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连
,CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连,参考电压产生电路与CTAT电流产生电路
和闭环补偿电流产生电路相连。本发明提供的闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源结构,可以
有效地提高补偿电流的精确度,进而提高输出参考电压的温度稳定性。
其它备注: