专利名称: | 一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源 |
专利类别: | |
申请号: | 200910301441.4 |
申请日期: | 2009-04-09 |
专利号: | CN101533288 |
第一发明人: | 范 涛 袁国顺 |
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专利摘要: | 本发明公开了一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所 述基准电压源包括:CTAT电流产生电路,于产生PTAT电流(IPTAT );闭环补偿电流产生I);参考于产生闭环补偿电流(ICL) 电压产生电路,用于产生参考电压源(Vref);PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连 ,CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连,参考电压产生电路与CTAT电流产生电路 和闭环补偿电流产生电路相连。本发明提供的闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源结构,可以 有效地提高补偿电流的精确度,进而提高输出参考电压的温度稳定性。 |
其它备注: | |
科研产出