| 专利名称: | 光调制热成像焦平面阵列的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910080277.9 |
| 申请日期: | 2009-03-17 |
| 专利号: | CN101538005 |
| 第一发明人: | 焦斌斌 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是关于一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，包括如下步 骤：步骤1.在单晶硅片上表面制造重掺杂层；步骤2.按照预设图案，在 单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3.在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4.生 长多晶硅填满沟槽；步骤5.在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A；步骤6.在 薄膜层A上覆盖金属层；步骤7.按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8.按 照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9.按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶 硅；步骤10.按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构 光调制热成像焦平面阵列。 |
| 其它备注: | |
科研产出