| 专利名称: | 一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910301765.8 |
| 申请日期: | 2009-04-23 |
| 专利号: | CN101540284 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制 作方法。本发明提供一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法，其步骤包括生长介质、 制作ZnO纳米线定位标记、将ZnO纳米线转移并淀积在介质上、对ZnO纳米线进行定位、制作 电极。本发明利用ZnO纳米线材料特性，经过上述工艺流程，制作出有别于传统PN结二极管 整流特性的基于ZnO纳米线的整流二极管，基于ZnO纳米线的整流二极管在纳米光电子学和电 子学、生物传感等领域具有潜在应用价值，本发明为以后制作纳米量级整流二极管器件带来 了新的思路。 |
| 其它备注: | |
科研产出