| 专利名称: | 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910301768.1 |
| 申请日期: | 2009-04-23 |
| 专利号: | CN101540287 |
| 第一发明人: | 徐静波 付晓君 张海英 |
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| 专利摘要: | 本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体 管的制作方法。为了解决现有ZnO纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距 的问题，本发明提供一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其步骤包括介质 生长、背栅电极制作、底层源漏电极制作、使用交流双向介电电泳技术初步固定ZnO纳米线 、使用基于AFM的纳米操控技术精确操控ZnO纳米线、顶层源漏电极制作。本发明将多根ZnO 纳米线作为并联沟道并悬浮于空中，能够大幅度提高器件的电流、跨导、截止频率等器件性 能以及紫外、气体、化学传感性能。 |
| 其它备注: | |
科研产出