| 专利名称: | 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810102796.6 |
| 申请日期: | 2008-03-26 |
| 专利号: | CN101546703 |
| 第一发明人: | 贾 锐 李维龙 陈 晨 刘 明 陈宝钦 谢长青 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法，该方法包括： 在衬底上生长二氧化硅层；将硅颗粒与金属氧化物颗粒的混合物蒸发 至所述二氧化硅层上；对样品进行高温热退火。采用本发明方法制备 的量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于单电子器件或单电子存储 器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方法具有工艺步骤 少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容 的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出