| 专利名称: | 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103256.X |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552206 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线 固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层5214原胶，采用 阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层5214 原胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO纳米 线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。由于本发明采用了双层胶光 刻技术，所以解决了ZnO纳米线场效应晶体管制备过程中纳米线从衬 底脱落的问题，避免器件失效。 |
| 其它备注: | |
科研产出