| 专利名称: | 一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103258.9 |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552207 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备ZnO顶栅纳米线场效应管的方法，该方法 包括：A.在衬底上生长SiO2介质层，涂胶、前烘，RIE打底胶，采 用十字或凹槽版对衬底进行光刻；B.将ZnO纳米线从原衬底上剥离， 滴到场效应晶体管衬底上进行沉积，利用ZnO纳米线作为场效应晶体 管的沟道；C.涂胶，进行源漏制备，蒸发金属Ti/Au与ZnO纳米线 形成欧姆接触电极；D.采用溅射Al2O3后光刻胶剥离的方法形成栅氧； E.光刻栅条形成栅极。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适 用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中 采用和推广。 |
| 其它备注: | |
科研产出