| 专利名称: | 单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103226.9 |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552236 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 徐静波 付晓君 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法， 该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀； 对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺， 挖栅槽，蒸发Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极；金属剥离， 形成金属图形。利用本发明，能够制作出性能良好的E/D MHEMT器 件，成功的将增强型MHEMT器件和耗尽型MHEMT器件集成于同一 芯片内，具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点， 容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 |
| 其它备注: | |
科研产出