| 专利名称: | InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810104227.5 |
| 申请日期: | 2008-04-16 |
| 专利号: | CN101562132 |
| 第一发明人: | 金 智 刘新宇 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种InGaAs/InP HBT中亚微米发射极的湿法腐蚀方 法，包括：A.选择合适的发射极InGaAs盖帽层厚度的HBT外延片； B.在该外延片上旋涂光刻胶；C.光刻、显影，制作发射极的图形； D.蒸发发射极金属；E.在有机溶液中剥离金属；F.用磷酸基的腐 蚀液腐蚀InGaAs盖帽层；G.用盐酸基的腐蚀液腐蚀发射极InP层。 本发明利用发射极InGaAs盖帽层的厚度来控制发射极的侧向腐蚀， InGaAs层的厚度由MBE等外延生长设备进行控制，精度非常高，因 此侧向腐蚀的可控性好。同时，本发明避免干法刻蚀造成的损伤，避 免因干法刻蚀造成的器件性能退化，并避免价格昂贵的干法刻蚀设备， 有效地节约了成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出