| 专利名称: | 一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810104760.1 |
| 申请日期: | 2008-04-23 |
| 专利号: | CN101566799 |
| 第一发明人: | 甄丽娟 商立伟 刘 明 刘兴华 涂德钰 刘 舸 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是一种用于半导体器件制造的蒸发掩模漏版的制备方法。其工 艺步骤如下：1.在双面抛光的硅片衬底上形成聚酰亚胺薄膜层；2.在聚 酰亚胺薄膜层上形成光刻胶图形；3.在聚酰亚胺和光刻胶图形层上蒸发 金属层；4.剥离形成金属阻挡层；5.在卡具保护下从背面对硅衬底进行 腐蚀形成镂空的聚酰亚胺自支撑膜；6.在金属阻挡层的掩蔽下从正面进 行反应离子刻蚀形成聚酰亚胺掩模图形；7.去除金属阻挡层，完成聚酰 亚胺掩模漏版的制作。利用聚酰亚胺材料制作漏版，工艺难度小，图形尺 寸精度高，制造成本低，适合于有机半导体器件制备领域的大面积图形化 过程。 |
| 其它备注: | |
科研产出