| 专利名称: | 一次编程存储器及其制造方法 |
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| 申请号: | 200910303069.0 |
| 申请日期: | 2009-06-09 |
| 专利号: | CN101577311 |
| 第一发明人: | 刘 明 左青云 龙世兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一次编程存储器及其制造方法，属于微电子技术领域。该一次编程存储器包 括下电极、上电极以及位于上电极和下电极之间的功能层薄膜；上电极或下电极与功能层薄 膜之间接触形成整流特性。该一次编程存储器的制造方法包括：形成作为下电极的衬底；在 衬底上形成功能层薄膜；在功能层薄膜上进行光刻并淀积导电材料，剥离后形成上电极；上 电极或下电极与功能层薄膜之间接触形成整流特性。本发明降低了存储器的制作成本，有利 于存储器的集成和使用；存储器器件能够采用交叉阵列结构集成，提高了存储器密度；存储 器本身具有整流作用，无需外加的整流器件，消除外加整流器件对存储器的影响，抑制读串 扰。 |
| 其它备注: | |
科研产出