| 专利名称: | GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法 |
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| 申请号: | 200810115564.4 |
| 申请日期: | 2008-06-25 |
| 专利号: | CN101615708 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开一种GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方 法。该单片集成微波开关由基于全耗尽型的GaAs PHEMT单刀双掷开关 和基于DCFL的反相器构成，该单刀双掷开关和反相器单片集成，单刀双 掷开关的控制信号端与反相器的输入端和输出端连接，且该单片集成微波 开关采用0V和-3V分别作为高低电平，反相器的VDD直流端接0V，原 接地端接-3V。本发明成功的将全耗尽型微波开关与反相器集成于同一芯 片内，实现了逻辑电路与开关电路的集成，整个电路只需要1位控制信号， 有效的减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯片面积，为将来采用 E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。 |
| 其它备注: | |
科研产出