| 专利名称: | 一种高K金属栅结构的刻蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910304819.6 |
| 申请日期: | 2009-07-24 |
| 专利号: | CN101620997 |
| 第一发明人: | 董立军 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种高K金属栅结构的刻蚀方法，属于半导体器件技术领域。所述高K金属栅 结构的刻蚀方法包括以下步骤：在所述多晶硅层的表面沉积薄膜后，在所述薄膜的表面旋涂 光刻胶，再通过刻蚀形成硬掩膜构成不需要刻蚀的保护区域、需要刻蚀的第一区域和需要刻 蚀的第二区域；通过溅射刻蚀将所述需要刻蚀的第一区域刻蚀掉；通过反应离子刻蚀将所述 需要刻蚀的第二区域刻蚀掉。本发明使用先通过溅射法物理刻蚀再反应离子刻蚀的方法来刻 蚀高K金属栅结构，既利用了物理刻蚀的良好的方向性，同时也利用了反应离子刻蚀的终点 检测的优势，可以获得很好的自停止效果，从而使得高K金属栅结构可以形成侧壁陡直的栅 图形。 |
| 其它备注: | |
科研产出