| 专利名称: | 一种绝缘体上硅器件及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910305117.X |
| 申请日期: | 2009-08-03 |
| 专利号: | CN101621064 |
| 第一发明人: | 毕津顺 海潮和 韩郑生 罗家俊 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种绝缘体上硅器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述绝缘体 上硅器件为采用p型绝缘体上硅晶圆制备的绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底、埋氧层以 及形成于顶层硅膜内的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管和P型场 效应晶体管分别位于体区中，均包括漏极、源极、栅极和体引出部分；所述包含N型场效应 晶体管的体区和包含P型场效应晶体管体区之间是电学隔离的。本发明的绝缘体上硅器件可 以有效地抑制浮体效应，源漏对称，无额外寄生电容，在保持SOI电路优势的同时，可以最 大程度地与主流体硅工艺和设计兼容。 |
| 其它备注: | |
科研产出