| 专利名称: | 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 |
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| 申请号: | 200910092439.0 |
| 申请日期: | 2009-09-08 |
| 专利号: | CN101655883 |
| 第一发明人: | 王鑫华 赵妙 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器 件技术领域。所述方法包括以下步骤：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中 的第三段曲线对应的物理过程，所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述 第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管 上，所述第三段曲线包括一段线性区；对所述第三段曲线进行线性拟合得到 斜率为k3的直线，根据所述直线的斜率k3，求出第一二极管的肖特基接触的 理想因子n1和实际势垒高度φ1。本发明的参数提取方法是针对GaN HEMT器件 高温存储后肖特基正向I-V特性曲线出现凹进的新现象而提出的，应用所述 方法提取的参数值与实际值基本吻合。 |
| 其它备注: | |
科研产出