| 专利名称: | 应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法 |
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| 申请号: | 200810119085.X |
| 申请日期: | 2008-08-28 |
| 专利号: | CN101661993 |
| 第一发明人: | 商立伟 刘明 涂德钰 甄丽娟 刘舸 刘兴华 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机 半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属 薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第一层金属薄膜与有机半导体 薄膜直接接触，该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构， 该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第二层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，且该第二层金属薄膜 与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构 的制备方法。利用本发明，能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本， 推动有机电路的实用化。 |
| 其它备注: | |
科研产出