| 专利名称: | 一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法 |
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| 申请号: | 200910308189.X |
| 申请日期: | 2009-10-12 |
| 专利号: | CN101667460 |
| 第一发明人: | 刘明 左青云 龙世兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法，属于微电子制造及存 储器技术领域。所述一次编程存储器包括具有双极转换特性的阻变存储器和具有整流特性的 二极管，具有双极转换特性的阻变存储器和具有整流特性的二极管之间相串联。本发明基于 阻变存储器的一次编程存储器以具有整流特性的二极管作为选通单元，以具有双极转换特性 的阻变存储器作为存储单元，并将两者串联在一起，不仅结构简单、易集成、密度高、成本 低，而且器件在低阻态时具有整流作用，能够抑制交叉阵列结构中的读串扰现象，避免误读 ；本发明基于阻变存储器的一次编程存储器能够采用交叉阵列结构集成，可以实现更高的存 储密度。 |
| 其它备注: | |
科研产出