| 专利名称: | 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910303939.4 |
| 申请日期: | 2009-07-02 |
| 专利号: | CN101707184A |
| 第一发明人: | 赵妙 王鑫华 刘新宇 李诚瞻 魏珂 郑英奎 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，属于半导体材料器件制作技术领域。所述方法包括：对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。通过本发明，提高了氮化镓基场效应晶体管的肖特基势垒高度，降低了氮化镓基场效应晶体管肖特基的反向漏电，提高了氮化镓基场效应晶体管的功率特性和击穿特性，解决了氮化镓基场效应晶体管在工作中参数漂移的问题，提高了氮化镓基场效应晶体管的稳定性和可靠性。 |
| 其它备注: | |
科研产出