| 专利名称: | 基于衬底修饰制备各向异性有机场效应管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810227480.X |
| 申请日期: | 2008-11-26 |
| 专利号: | CN101740721A |
| 第一发明人: | 姬濯宇 商立伟 刘明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种基于衬底修饰制备各向异性有机场效应管的方法，是通过一次绝缘介质层生长、一次光刻、一次单层分子自组装修饰衬底、一次有机半导体薄膜生长和一次金属沉积，获得各向异性的有机场效应管，具体包括以下步骤：在导电基底上生长绝缘介质层；在绝缘介质层表面上旋涂光刻胶保护层，光刻得到有取向的绝缘介质层图形；利用化学气相输运的方式在绝缘介质层图形区域选择性地组装一层单分子膜；沉积生长有机半导体薄膜；通过镂空的掩模版沉积生长源漏金属电极。本发明提供了一种工艺简单、人为可控性高、重复性好、均匀性高的制备高迁移率的各向异性有机场效应管的方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出