| 专利名称: | 一种制备过孔的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810240081.7 |
| 申请日期: | 2008-12-17 |
| 专利号: | CN101752300A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金属；剥离后再淀积栅介质材料；再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。本发明省掉了刻蚀栅介质这步工艺过程，是在完成了器件的栅电极制备后，为达到栅电极与随后要生长的栅介质上面的引线互连，先在栅电极上光刻出过孔图形，然后再蒸互连金属，最后再生长栅介质材料。本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。 |
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科研产出