| 专利名称: | 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810240085.5 |
| 申请日期: | 2008-12-17 |
| 专利号: | CN101752508A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，对有源层的图形化工艺简单，没有增加光刻步骤，主要依靠栅介质的台阶特性实现器件隔离和有源层的图形化。另外，本方法也与成熟的光刻工艺兼容，降低了成本，有利于工业生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出