| 专利名称: | 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077519.9 |
| 申请日期: | 2009-01-21 |
| 专利号: | CN101783393A |
| 第一发明人: | 商立伟 刘明 姬濯宇 刘舸 刘兴华 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法，该方法包括：步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形；步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液，该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域；步骤3、烘烤除去溶剂，形成图形化的有机半导体薄膜。由于高表面能，液相材料不能附着在高疏水性粘附层表面，而是自然地向没有高疏水性粘附层的地方迁移，从而能够复制高疏水性粘附层的图形。该方法工艺步骤简单，能够实现自对准，是一种低成本的有机半导体图形化方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出