| 专利名称: | 一种制作复合俘获层的方法 |
| 申请号: | 200910077676.X |
| 申请日期: | 2009-02-11 |
| 专利号: | CN101800169A |
| 第一发明人: | 刘明 杨仕谦 王琴 龙世兵 |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层的方法，适用于制作复合电荷俘获机制的浮栅式存储器，该方法包括：A、采用反应溅射的方式在隧穿介质层上沉积含有氮的金属硅化物薄膜；B、对含有氮的金属硅化物薄膜进行快速热退火处理，形成兼有氮化硅电荷俘获层及纳米晶电荷存储层的复合俘获层。本发明具有方法简易，工艺与传统CMOS硅平面工艺兼容等优点，利于推广应用。 |
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