| 专利名称: | 一种调节金属栅的栅功函数的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077624.2 |
| 申请日期: | 2009-02-09 |
| 专利号: | CN101800197A |
| 第一发明人: | 周华杰 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种调节金属栅的栅功函数的方法，该方法包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，杂质激活；淀积金属镍，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍。本发明提供的方法，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 |
| 其它备注: | |
科研产出