| 专利名称: | 一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077679.3 |
| 申请日期: | 2009-02-11 |
| 专利号: | CN101800287A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶；步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻，得到栅介质图形；步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜；步骤4、剥离得到栅介质图形，再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形；步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属，剥离得到电极图形；步骤6、蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。利用本发明得到的平面结构有机场效应晶体管，减少了工艺流程提高的器件的集成度。 |
| 其它备注: | |
科研产出