| 专利名称: | 一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910078555.7 |
| 申请日期: | 2009-02-25 |
| 专利号: | CN101814435A |
| 第一发明人: | 付晓君 张海英 徐静波 黎明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法包括：在P++型硅衬底上生长一层二氧化硅介质，形成场效应晶体管衬底；在该场效应晶体管衬底上涂一层光刻胶，光刻曝光；蒸发源漏金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的源漏；蒸发背面金属，形成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的栅极；将ZnO纳米线沉积到已经蒸发源漏金属的场效应晶体管衬底上；进行退火处理，完成悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出