| 专利名称: | 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077360.0 |
| 申请日期: | 2009-02-19 |
| 专利号: | CN101814531A |
| 第一发明人: | 万里兮 吕垚 李宝霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；根据实际需要，引出电极可以在半导体基材的两面，或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。 |
| 其它备注: | |
科研产出