| 专利名称: | 15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410047533.1 |
| 申请日期: | 2004-05-21 |
| 专利号: | CN1700426 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 钱 鹤 赵玉印 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法，主要步骤为：(1)采用电子束光刻 或光学光刻结合胶的灰化处理工艺和硬掩膜修整技术，获得15-50纳米线 宽的硬SiO2掩膜图形；(2)以SiO2作硬掩膜，利用CF4、Cl2、HBr、O2等 气体，采用4步反应离子刻蚀工艺，可以获得陡直的多晶硅栅刻蚀剖面。 多晶硅栅对其下的SiO2栅介质的刻蚀选择比远大于500∶1，对物理厚度为 1.3纳米的SiO2栅介质无损伤。 |
| 其它备注: | |
科研产出