| 专利名称: | 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410074677.6 |
| 申请日期: | 2004-09-13 |
| 专利号: | CN1750242 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 钱 鹤 谢 玲 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种提高PMOS场效应晶体管空穴迁移率的方法，通过工艺诱生应 力工程在沟道区引入希望的应力来提高沟道中空穴迁移率。该方法的核 心就是在PMOS延伸区低能BF2(或B)注入前，首先对Si延伸区进行Ge 预非晶化注入，然后再低能注入BF2或B。这一方法不仅仅提高了B的 激活效率，使PMOS延伸区薄层电阻大大降低，更重要的是它使空穴迁 移率大幅度提高，其本质是沟道区在应力作用下能带结构发生变化所致。 |
| 其它备注: | |
科研产出