| 专利名称: | 单次纳米压印制作深纳米T型栅的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410009933.3 |
| 申请日期: | 2004-12-02 |
| 专利号: | CN1782879 |
| 第一发明人: | 谢常青 范东升 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种单次纳米压印制作纳米T型栅的方法，其工艺步骤如下：1. 在熔石英基片表面上淀积铬薄膜；2.在铬薄膜表面上甩电子束光刻胶， 电子束光刻宽栅槽图形；3.第一次各向异性刻蚀铬薄膜；4.第一次各向 异性刻蚀熔石英，被刻蚀的熔石英深度等于纳米T型栅所要求的总高度； 5.去除电子束光刻胶；6.甩电子束光刻胶，电子束光刻窄栅槽图形；7. 第二次各向异性刻蚀铬薄膜；8.第二次各向异性刻蚀熔石英，被刻蚀的 熔石英深度等于纳米T型栅所要求的底层窄栅槽图形高度；9.去除电子 束光刻胶；10.去除铬薄膜，完成倒T型纳米压印模的制作；11.在待 作纳米T型栅的片子表面甩纳米压印光刻胶，用倒T型纳米压印模对待 作纳米T型栅的片子进行压印；12.对压印后的片子进行氧等离子体灰 化；13.蒸发、剥离栅金属，完成纳米T型栅制作。 |
| 其它备注: | |
科研产出