| 专利名称: | 提高金属-介质-金属结构电容性能的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410009984.6 |
| 申请日期: | 2004-12-09 |
| 专利号: | CN1787171 |
| 第一发明人: | 陈晓娟 和致经 刘新宇 刘 键 吴德馨 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体器件技术领域，是关于一种应用于半导体无源元 件制作工艺中改善金属-介质-金属(MIM)电容质量的方法。该方法， 包括如下步骤：步骤1：在基板上，光刻形成电容下极板图形；步骤2： 依次蒸发钛/金/钛形成电容下极板；步骤3：淀积介质层；步骤4：制作 空气桥；步骤5：光刻上极板图形，采用电镀方法形成上极板。本发明 的工艺方法简单，成本低，重复性很好，得到的电容器件的特性较之传 统工艺有很大提高。 |
| 其它备注: | |
科研产出