| 专利名称: | 高电子迁移率晶体管电路T型栅制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510011738.9 |
| 申请日期: | 2005-05-19 |
| 专利号: | CN1866472 |
| 第一发明人: | 张海英 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及超高速微电子器件技术领域，高电子迁移率晶体管(HEMT) 电路T型栅制作方法。方法步骤：取原始基片，进行清洗，做标记，制 作隔离岛、源漏金属蒸发、剥离、合金工艺；对基片进行清洗；涂PMMA 胶；涂胶后立即烘烤；取出基片；涂胶后立即烘烤；将涂胶后的基片送 电子束曝光；对曝光后的基片上层PMMA胶显影、定影；吹干；该方法兼 有现有技术两种T型栅制作方法的优点，同时回避了各自的缺点，使小 栅长制作工艺更简单易行，工艺上更容易实现，有利于提高成品率，降 低生产成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出