| 专利名称: | 与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510011845.1 |
| 申请日期: | 2005-06-02 |
| 专利号: | CN1873954 |
| 第一发明人: | 宋李梅 李 桦 海潮和 杜 寰 夏 洋 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明是与标准互补金属氧化物半导体(Complementary Metal- Oxide-Semiconductor，CMOS)工艺兼容的高压CMOS(High Voltage CMOS， HVCMOS)双栅氧制备工艺，采用干-湿法相结合的厚栅氧刻蚀方法，并 在一次多晶硅栅刻蚀后加做一次侧墙缓和一次多晶硅栅的台阶高度。本 发明在与标准CMOS工艺相兼容的高压CMOS集成技术中可以显着提高器 件及电路性能，并具有工艺简单，成本低等优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出