专利名称: | 单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法 |
专利类别: | |
申请号: | 200510011988.2 |
申请日期: | 2005-06-23 |
专利号: | CN1884039 |
第一发明人: | 李超波 陈大鹏 叶甜春 王玮冰 |
其它发明人: | |
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专利摘要: | 一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法,包括:1. 在单晶硅基片上双面生长氮化硅薄膜;2.用加热的氢氧化钾溶液各向异 性腐蚀氮化硅;3.在正面甩正性光刻胶;4.在背面甩正性光刻胶,光 学光刻背面窗口图形;5.各向异性刻蚀有光刻图形面;6.去除光刻胶; 7.在正面甩正性光刻胶,光学光刻正面氮化硅梁图形;8.在有光刻图 形的一面蒸发、剥离铬薄膜;9.各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅; 10.各向同性腐蚀去除铬薄膜;11.在有氮化硅梁图形的正面甩正性光 刻胶,光学光刻正面隔离金图形;12.蒸发、剥离金;13.用加热的氢 氧化钾溶液各向异性腐蚀基片,完成镂空的双材料微悬臂梁热隔离结构 焦平面阵列的制作。 |
其它备注: | |
科研产出