用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法
专利类别:
申请号:	200510090179.5
申请日期:	2005-08-11
专利号:	CN1911781
第一发明人:	石莎莉陈大鹏李超波焦斌斌欧毅叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:	一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方
其它备注:

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