| 专利名称: | 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510086488.5 |
| 申请日期: | 2005-09-22 |
| 专利号: | CN1937184 |
| 第一发明人: | 林 刚 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法，采用常规的低成本 低压化学汽相沉积(LPCVD)方法来制备超薄Si3N4膜，得到性能优良的等效 氧化层厚度(EOT)为1.9nm的超薄Si3N4/SiO2 stack栅介质。并在此基础上详 细研究了Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质的特性，成功应用于栅长为0.13μm高 性能N/O stack栅介质CMOS器件研制。为深亚微米CMOS器件所必需的高 性能栅介质制备提供了一种方便可行的方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出